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在半導體晶片拋光過程中，拋光時間短，要求拋光速率快，表面質量好，雜質殘留少，避免影響功率器件性能與成品率。硅溶膠顆粒大小分布均勻，提供磨削作用的有效顆粒多，拋光速率快；硬度適中，分散性、流動性好，不易沉淀和結塊造成晶片劃傷；同時硅溶膠純度高、低殘留、易清洗，降低了晶片表面沾污的影響。